Cmos多款完美適配電動(dòng)車防盜器的MOSFET
Cmos多款完美適配電動(dòng)車防盜器的MOSFET
2020年9月，我國明確提出“雙碳”標(biāo)準(zhǔn)，即在2030年達(dá)到“碳達(dá)峰”和在2060年達(dá)到“碳中核”的綠色發(fā)展的中長期目標(biāo)。
綠色、低碳出行是減少碳排放的主要方式之一。為響應(yīng)國家“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)，Cmos公司立足當(dāng)下，持續(xù)在電動(dòng)車領(lǐng)域發(fā)力，爆發(fā)式推產(chǎn)出CMD5950A/CMU5950A、CMD5952A/CMU5952A、CMP5970為代表的不同封裝、不同耐壓的MOSFET半導(dǎo)體器件，客戶可以根據(jù)自己的網(wǎng)絡(luò)使用環(huán)境匹配選擇合適的半導(dǎo)體控制器件，從而滿足不同需求。為客戶提供安全，優(yōu)質(zhì)的控制半導(dǎo)體器件。
選擇MOS需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵特點(diǎn)和要求：
電壓額定值(VDS)：確保MOSFET的漏源電壓高于電路中的最大工作電壓。
電流額定值(ID)：根據(jù)應(yīng)用中的最大負(fù)載電流選擇適當(dāng)?shù)念~定電流，確保在最大負(fù)載下安全運(yùn)行。
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：選擇導(dǎo)通電阻低的MOSFET，以減少導(dǎo)通損耗，提高效率。例如，Cmos的CMD5950A在VGS=-6V,ID=-8A時(shí)的導(dǎo)通內(nèi)阻不超過55mΩ。例舉Cmos的CMD5950A是一款-100V的P型溝道場效應(yīng)MOSFET進(jìn)行介紹，其主要性能參數(shù)如下：
漏源電壓 (VDS)：-100V
連續(xù)漏極電流 (ID)：常溫下可達(dá)-33A
封裝類型：TO-251/TO-252，具有低熱阻，良好的散熱特性
閾值電壓 (VGS(th))：典型值均不大于-4V
導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：在VGS=-10V，ID=-10A的條件下不超過52mΩ
CMD5950A客戶在-96V的電動(dòng)車防盜器應(yīng)用中表現(xiàn)出色，表現(xiàn)出卓越抗沖擊能力，在較低輸入功率情況下，保持大功率輸出，而且保障了設(shè)備在戶外復(fù)雜的環(huán)境中安全、穩(wěn)定、高效的運(yùn)行。
客戶運(yùn)用Cmos產(chǎn)品開發(fā)出的電動(dòng)車防盜器，性能穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
優(yōu)秀的電阻特性
注意：由CMD5950A的Vgs-Rds變化測試圖發(fā)現(xiàn)，在Vgs=10V時(shí)，MOSFET處于導(dǎo)通內(nèi)阻最理想狀態(tài)。
Cmos一直以做高品質(zhì)MOSFET為企業(yè)經(jīng)營理念。多年來，我們也是這樣在踐行，很多產(chǎn)品贏得了市場認(rèn)可。
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