聊一聊CMD4003
CMD4003是廣東場效應有限公司在二零一九年推出的一款低電壓P溝道場效應管，歷經數年，該料憑借其卓越的電性特征已在包括汽車電子、小型家電、醫療美容等行業得到廣泛應用。
封裝形式
Cmos考慮到用戶不同的使用場景，為CMD4003場效應管提供TO-252和TO-251兩種不同封裝形式可供選擇，具體內部拓撲結構如下圖所示：
卓越的電氣特性
耐壓能力
CMD4003場效應管工作時最大額定電壓VDS=-40V，屬于一款低壓MOS管，在柵極閾值電壓VGS=-2.5V,工作溫度Tc=25℃時，持續工作電流ID=27A，這使得它的驅動電路將會更簡單，可以直接用單片機驅動，場效應管驅動電路變得更簡單，避免了臃腫的驅動電路設計,PCBA板簡潔小巧，體積尺寸更小。
良好的熱控能力
理想的導通內阻
CMD4003 MOSFET在VGS=-10V條件下，內阻值RDS(ON)=20mΩ。內阻較低，在實際電路應用中因為電流的熱效應導致MOS管不容易發熱和本身電能損耗小。這一特點在電池保護方案中特別重要。
優秀的電容參數
場效應管因為其結構決定了其柵極、源極、漏極兩兩之間存在電容，其開啟和關閉就是給柵極電容充電和放電的過程，每一次充電和放電都需要時間，都造成電能損耗，伴隨著MOS管產生熱量。而MOS作為超高頻率開關器件，柵極電容的大小對MOS管開關頻率影響很大，在實際電路中，尤其在100KHZ高頻率應用條件下大電容造成的電能損耗將很可觀，而這些損耗的電能是通過MOS管熱量最終損失。可想而知，100KHZ條件下，一定時間內，如果該電容足夠大，損耗的電能轉化成的熱量足夠是MOS管的溫升很高容易造成熱擊穿甚至炸裂情況。所以，在高速高頻應用環境中，這個參數一定要控制。
CMD4003 MOSFET CISS=2400Pf，容值比較小，所以才能完美適配高頻的LED燈控，無人機控制，高端美容設備。
以上是對CMD4003 場效應管簡單的介紹。從這顆料自身卓越的電性參數結合客戶應用的電路環境，表現出了優異的性能。限于篇幅，就分享至此，如需詳細了解參數和適配物料，請注冊和登錄廣東場效應半導體有限公司官網：www.phchaye.com.cn自行下載和聯系客服免費索取樣品。
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