Cmos優(yōu)勢物料推選三：CMSA120P03A
Cmos優(yōu)勢物料推選三：CMSA120P03A
摩爾定律是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的最大壁障，它從物理角度預(yù)測和定義了芯片發(fā)展的趨勢和邊界。場效應(yīng)管作為電子電路基礎(chǔ)芯片之一，其發(fā)展歷程最為典型，足以說明半導(dǎo)體芯片的來龍和去脈。
場效應(yīng)管于二十世紀(jì)六十年代被發(fā)明研制，歷經(jīng)六十多年發(fā)展，已然作為電力電子核心半導(dǎo)體器件得到廣泛應(yīng)用。其封裝形式先后經(jīng)歷TO插件式、SOT貼片式、PDFN和TOLL大功率貼片。封裝形式的演變是人類對產(chǎn)品需求的發(fā)展，從需求層面出發(fā)，要求攜帶方便，精巧而不笨重，所以小而精高集成性的封裝是發(fā)展趨勢；從節(jié)能角度，低電壓大電流是未來需求的趨勢，PDFN封裝滿足這兩點需求。下圖是某半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計的2010~2020近十年場效應(yīng)管封裝需求的變化趨勢，很清楚的反映出，半導(dǎo)體市場對PDFN封裝需求一直呈現(xiàn)上漲趨勢，這也主要是這種封裝自身的優(yōu)異特性，顯然，PDFN封裝將會得到廣泛應(yīng)用。
CMSA120P03A是Cmos研制的一款溝槽型工藝P溝道場效應(yīng)管，具有卓越的電性參數(shù)。
封裝形式
CMSA120P03AMOSFET屬于PDFN封裝，為了拓展客戶實際應(yīng)用電路物料的兼容性，PDFN封裝可以和SOP-8封裝互相替代。具體內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示。
卓越的電性特性
耐壓和耐流能力
CMSA120P03A場效應(yīng)管是一款低電壓大電流P溝道場效應(yīng)管，擊穿電壓為VDS=-30V，在Tc=25℃，MOS管將完全導(dǎo)通狀態(tài)下，DS的持續(xù)工作電流ID=-150A,具有高功率輸送能力，這種特性用在電機(jī)橋型驅(qū)動方案，高性能鋰電池保護(hù)板以及LED燈控產(chǎn)品方面效果卓越,性能穩(wěn)定。
低開啟低內(nèi)阻
CMSA120P03A是一款P溝道MOS管，從微觀層面考慮，溝道電阻是受載流子（載流子分為電子和空穴）遷移率的影響。而空穴遷移率的大小僅為電子遷移率的1/3，在相同尺寸條件下，P溝道是N溝道內(nèi)阻的3倍。然而，這種半導(dǎo)體固有的物理特性，并沒阻止Cmos研發(fā)團(tuán)隊對優(yōu)秀產(chǎn)品的追求。CMSA120P03A這款管子，在飽和狀態(tài)時，導(dǎo)通內(nèi)阻RDSON僅僅只有3.6mΩ，在電路應(yīng)用中其導(dǎo)通損耗將變得非常小，應(yīng)用在鋰電保護(hù)板上效果極佳，穩(wěn)定性極佳。再加上柵極開啟電壓Vgs=-2V，這使得其驅(qū)動電路異常簡單，使得整個電路集成性更高。
CMSA120P03A是一款綜合性能優(yōu)越的場效應(yīng)管，低導(dǎo)通損耗和低開啟條件使其具有寬泛的應(yīng)用環(huán)境，高功率輸出能力能夠輕松達(dá)到高效率的傳遞能力。在高性能鋰電池保護(hù)板，LED燈控制器，無刷電機(jī)等領(lǐng)域已被廣泛應(yīng)用。當(dāng)然它的應(yīng)用電路不僅限于此，還有更多的應(yīng)用場景等待開發(fā)。
廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司是一家擁有20多年市場經(jīng)驗集開發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售于一體，多業(yè)務(wù)、多維度經(jīng)營的綜合性半導(dǎo)體企業(yè)。具備半導(dǎo)體獨(dú)立封測能力，具有芯片自主設(shè)計能力，具有掩膜版專利技術(shù)等幾十項發(fā)明和使用專利技術(shù)。產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋汽車電子、通訊設(shè)備、工業(yè)控制、智能家居、消費(fèi)類電子等諸多領(lǐng)域；產(chǎn)品應(yīng)用在客戶端，表現(xiàn)出卓越的性能，獲得了市場的認(rèn)可。
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