Cmos優(yōu)勢物料推選七：CMB044N10B
Cmos優(yōu)勢物料推選七：CMB044N10B
功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心元器件，隨著近年來新能源汽車、光伏、軌道交通、智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，以及半導(dǎo)體行業(yè)的回暖，市場對功率器件的需求迅速升溫。
性能一直是廠家和用戶追求的終極變量。然而，傳統(tǒng)材料和老舊的制造工藝在電能轉(zhuǎn)換效率、重量和體積方面越來越顯現(xiàn)出不足和局限性，難以適應(yīng)未來電力電子系統(tǒng)對“高效、綠色、低碳”功率半導(dǎo)體器件的要求。在此，新材料的發(fā)明和新工藝的發(fā)現(xiàn)將迫在眉睫。在新材料方面，第三代半導(dǎo)體SiC，GaN材料在禁帶寬度、導(dǎo)熱性能、臨界擊穿場強、電子飽和漂移速度上的優(yōu)勢明顯，符合未來電力電子系統(tǒng)小型輕量化、高效一體化、安全可靠化的發(fā)展趨勢。在制造工藝方面，柵極分割改進型溝槽，深溝槽和多層外延EPI工藝的提高，在降低能耗，提升效率方面得到優(yōu)化，迅速成為主流蝕刻技術(shù)。隨著全球“碳達峰、碳中和”目標的逐步實現(xiàn)，新材料和新工藝將帶來更為顯著的經(jīng)濟效益。
相比于新材料的發(fā)現(xiàn)，制造工藝的發(fā)展和應(yīng)用則周期更短，更具有經(jīng)濟性。下圖是MOSFET工藝的發(fā)展趨勢，顯然，工藝的發(fā)展不斷地提升芯片的性能。
CMB044N10B MOS管是一款采用柵極分割改進型溝槽工藝設(shè)計的大功率FET，屬于低電壓大電流MOS，具有卓越的性能和廣闊的應(yīng)用市場。
封裝形式
CMB044N10B MOSFET提供了TO-220，TO-263和TO-262三種常規(guī)的散熱性優(yōu)越的封裝形式，其外觀和內(nèi)部拓撲結(jié)構(gòu)如下圖所示：
電性參數(shù)
卓越的過載能力
CMB044N10B是一款低壓大電流的場效應(yīng)管，其導(dǎo)通工作電壓為100V，漏源持續(xù)電流ID高達120A。具有卓越的極限承載能力，能夠滿足大部分應(yīng)用需求。
優(yōu)秀的抗沖擊性
EAS是衡量MOS管性能的重要參數(shù)之一，該值可以評估MOS關(guān)在實際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。EAS指標越大則表示MOS管耐擊穿能力越強。預(yù)示著在實際應(yīng)用中即使工作電壓超過MOS管的擊穿電壓BVDSS，也不容易發(fā)生損壞失效。CMB044N10B EAS=1458Mj，這個指標能夠輕松駕馭大功率感性負載引起的沖擊。
低功耗
飽和導(dǎo)通內(nèi)阻RDSON是決定MOS管在導(dǎo)通時轉(zhuǎn)化效率的關(guān)鍵指標，CMB044N10B RDSONTyp. 只有3.5mΩ，極低的導(dǎo)通內(nèi)阻，即便是承載大電流也不會產(chǎn)生過多額外的熱量。
Cmos半導(dǎo)體產(chǎn)品
Cmos產(chǎn)品有：MOS場效應(yīng)管，晶閘管，IGBT，三端穩(wěn)壓芯片，三極管，二極管等，應(yīng)用鄰域廣泛，性能可靠穩(wěn)定。
Cmos產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域
消費電子類：家電，電動車，無人機，戶外顯示，開關(guān)電源，筆記本電腦，電動工具；
工業(yè)電子類：智能儀表，無線通訊，光伏，5G通訊，服務(wù)器，物聯(lián)網(wǎng)；
汽車電子類：新能源汽車，充電樁，軌道交通。
Cmos半導(dǎo)體是優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)半導(dǎo)體廠家，擁有豐富的MOSFET和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品，具備出色性能以及價格優(yōu)勢。產(chǎn)品生產(chǎn)工藝齊全先進，產(chǎn)品系列應(yīng)用廣泛，產(chǎn)品分布低功率至高功率應(yīng)用。更多型號資料請聯(lián)系在線客服或登錄Cmos官網(wǎng)，可索取免費樣品以及報價、技術(shù)支持服務(wù)。
