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CMD8447B:優秀控制器MOS

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CMD8447B:優秀控制器MOS

>>CMD8447B詳情頁面

CMD8447B采用Cmos先進的溝槽技術和設計,提供優秀的RDS(ON)與低門電荷,具有低導通損耗和低開關損耗,它可以高效用于多種應用電路中,包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機驅動、LED控制器等。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性,是優秀的控制器應用元件。



卓越的電氣特性

CMD8447B的主要電氣特性包括: 

耐壓能力:CMD8447B的耐壓(BVDSS)為40V。

電流能力:在Tc=25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)可達50A。



可靠性好:CMD8447B采用Cmos先進的溝槽技術和設計,單次雪崩能量為100mJ,使其有較強的抗沖擊能力,提升了其耐用性和可靠性。

低熱阻:CMD8447B采用TO-252封裝,具有優秀的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)為2.8℃/W。有很好的散熱能力,工作時能夠有效地將熱量散發出去,防止過熱,提高了系統的穩定性和可靠性。



低導通電阻:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMD8447B的導通電阻(RDS(on))不超過15.5mΩ。低導通電阻能降低導通狀態下的損耗,能提高整體電路的能效。



低Qg:較低的Qg、和比較小的Ciss,使管子更容易驅動,開關損耗低,能提高電路效率。



適用范圍廣泛

CMD8447B由于其優異的特性,適用于多種應用場景,特別是各類控制器電路中。MOS管的高EAS、低熱阻、低導通電阻直接決定管子抗沖擊能力強、可靠性高、能效高;低QG、低結電容,使管子有較好的開關特性及低開關損耗。CMD8447B表現出色,能夠很好地滿足電路需求。


通過優化半導體材料和制造工藝,Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMD8447B中,使其在各類控制器等電路應用中表現優秀。


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