9月23—25日，記者在廣州舉辦的“2021中國電子材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展大會”上獲悉，隨著5G基站、手機快充以及新能源電動汽車等新興領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體器件的功率、效率、散熱以及小型化提出更高要求，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體正得到廣泛應(yīng)用，并加速進(jìn)入黃金發(fā)展期。
當(dāng)前，新一輪科技革命深入演進(jìn)，數(shù)字時代撲面而來，全球主要國家在數(shù)字經(jīng)濟領(lǐng)域展開激烈角逐。關(guān)鍵數(shù)字技術(shù)創(chuàng)新，中國已經(jīng)取得了哪些優(yōu)勢？在當(dāng)前國際環(huán)境下，面臨哪些難題要“啃”？
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體步入產(chǎn)業(yè)化階段，對新一代半導(dǎo)體材料的探討已經(jīng)進(jìn)入大眾視野。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物，以及國內(nèi)外高度關(guān)注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導(dǎo)體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導(dǎo)體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體材料，將一路向?qū)挘€是一路向窄？
新浪科技訊據(jù)報道，韓國三星電子是全世界最大的存儲芯片制造商，日前，三星電子研發(fā)團隊和美國哈佛大學(xué)共同發(fā)表了一篇研究論文，他們提出了一種新方法，準(zhǔn)備在一個存儲芯片上“反向工程”（復(fù)制）人類的大腦。
從智能手機、電視到風(fēng)力渦輪機，硅芯片的需求正在蓬勃發(fā)展，但它也付出了巨大的代價：巨大的碳足跡。該行業(yè)呈現(xiàn)出一個悖論。實現(xiàn)全球氣候目標(biāo)在某種程度上要依靠半導(dǎo)體。它們是電動汽車、太陽能電池陣列和風(fēng)力渦輪機的組成部分。
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