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CMH90N20:逆變器的優選MOS

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CMH90N20:逆變器的優選MOS

>>CMH90N20詳情頁面

CMH90N20采用先進的平面DMOS技術和設計,提供優秀的RDS(ON),抗沖擊能力強,廣泛應用于逆變器和SMPS、UPS等電路中。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性,是市場非常認可、成為逆變器的優選MOS元件。



卓越的電氣特性

CMH90N20的主要電氣特性包括: 

耐壓與電流能力:CMH90N20的耐壓(BVDSS)為200V,在25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)可達100A。這使得CMH90N20在高功率大電流應用中表現出色,特別適用于逆變器和SMPS、UPS電路。



抗沖擊能力強:CMH90N20采用先進的平面DMOS技術,單次雪崩能量為3240mJ,使其有很強的抗沖擊能力,能承受高能量脈沖,提升了其耐用性和可靠性。

低熱阻:CMH90N20采用TO-247A-LL封裝,具有優秀的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)低至0.38℃/W。這意味著在大功率工作時,器件能夠有效地將熱量散發出去,防止過熱,提高了系統的穩定性和可靠性。 

低導通電阻:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMH90N20的導通電阻(RDS(on))不超過25mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗,還提高了整體電路的能效,使得在逆變器等電路使用中效率更高。



適用范圍廣泛

CMH90N20 MOS管由于其優異的特性,適用于多種應用場景,特別是在逆變器和SMPS、UPS電路中。

逆變器電路:在逆變器應用中,MOS管的高EAS、低熱阻、低導通電阻直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效,CMH90N20表現出色,能夠很好地滿足電路需求。

SMPS、UPS電路:CMH90N20的大電流、高EAS、低熱阻、低導通電阻確保電路高效、穩定、可靠的性能。



MOS管在電力電子中起到重要作用,其性能直接影響整個電路的效率和穩定性。MOS管的導通電阻(RDS(on))和熱阻(RθJC)是決定其導通性能和耐用性的關鍵因素。低導通電阻可以減少導通損耗,提高效率,而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱,使器件不會過熱,從而延長其使用壽命。

 

CMH90N20 MOS管采用的TO-247A-LL封裝提供了良好的散熱途徑,這在高功率應用中特別重要。其耐壓和電流能力使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝,CMOS成功地將這些特性集成到CMH90N20中,使其在逆變器和SMPS、UPS電路應用中具備出色的表現。



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