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CMP13N50T/CMF13N50T:逆變器的佼佼者

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CMP13N50T/CMF13N50T:逆變器的佼佼者

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CMP13N50T/CMF13N50T采用先進的高壓MOSFET技術生產,這種先進技術能提供優(yōu)秀的RDS(ON)、優(yōu)越的開關性能、并能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。非常適合于高效切換模式電源,基于半橋拓撲的主動功率因數校正。特別適用于逆變器電源,有良好的散熱能力。



卓越的電氣特性                                    

CMP13N50T/CMF13N50T的主要電氣特性包括: 

耐壓與電流能力:CMP13N50T/CMF13N50T的耐壓(BVDSS)為500V,在25℃條件下,其最大連續(xù)漏極電流(ID)可達13A。



抗抗沖擊能力強:CMP13N50T/CMF13N50T采用先進的高壓MOSFET技術,單次雪崩能量為860mJ,使其有很強的抗沖擊能力,能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。

散熱好:CMP13N50T/CMF13N50T采用TO-220/TO-220F封裝,具有良好的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)為0.64℃/W,有很好的散熱能力,能有效地將熱量散發(fā)出去。 


導通損耗小:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMP13N50T/CMF13N50T的導通電阻(RDS(on))最大為0.48Ω。低導通電阻降低了導通狀態(tài)下的損耗,提高了電路的能效,使得在逆變器等電路使用中效率更高。



開關損耗小:較小的QG、結電容,使其具有優(yōu)越的開關性能,較小的開關損耗。



適用范圍廣泛                                    

CMP13N50T/CMF13N50T MOS管由于其優(yōu)異的特性,適用于多種應用場景,特別是在逆變器電路中。

逆變器電路:在逆變器應用中,MOS管的高EAS、低熱阻、低導通電阻直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效,低QG、低結電容,有較好的開關特性及低開關損耗。CMP13N50T/CMF13N50T表現出色,能夠很好地滿足電路需求。


MOS管在電力電子中起到重要作用,其性能直接影響整個電路的效率和穩(wěn)定性。MOS管的導通電阻(RDS(on))和熱阻(RθJC)是決定其導通性能和耐用性的關鍵因素。低導通電阻可以減少導通損耗,提高效率,而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱,使器件不會過熱,從而延長其使用壽命。


CMP13N50T/CMF13N50T MOS管采用的TO-220/TO-220F封裝,具有良好的散熱能力。其耐壓和電流能力使其能夠在各種高應力環(huán)境下穩(wěn)定工作。通過優(yōu)化半導體材料和制造工藝,CMOS成功地將這些特性集成到CMP13N50T/CMF13N50T中,使其在逆變器等電路應用中具備出色的表現。


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