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CMD65R290:反激電源的優選

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CMD65R290:反激電源的優選

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CMD65R290功率MOSFET,使用Cmos先進的超結技術,實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術,可以提供高效率。為設計者提供低EMI和低開關損耗的優勢,非常適合反激電源電路應用,溫升低,易過EMC。



卓越的電氣特性                                     

CMD65R290的主要電氣特性包括: 

耐壓與電流能力:CMD65R290的耐壓(BVDSS)為650V,在25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)可達13A。



低EMI:CMD65R290采用Cmos先進的超結技術,應用時具有低EMI、易通過EMC測試的特點。

溫升低:CMD65R290采用TO-252封裝,具有良好的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)為0.95℃/W,有很好的散熱能力。



導通損耗小:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMD65R290的導通電阻(RDS(on))最大為0.3Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗,提高了電路的能效,使得在反激電源等電路使用中效率更高。



開關損耗小:較小的QG、CISS,使其具有優越的開關性能,較小的開關損耗。



適用范圍廣泛                                     

CMD65R290 MOS管由于其優異的特性,適用于多種應用場景,特別是在反激電源電路中。


在反激電源應用中,MOS管的低熱阻、低導通電阻直接影響工作時的溫升、可靠性、能效,低QG、低結電容,有較好的開關特性及低開關損耗。CMD65R290表現出色,能夠很好地滿足電路需求。



MOS管在電力電子中起到重要作用,其性能直接影響整個電路的效率和穩定性。MOS管的導通電阻(RDS(on))和熱阻(RθJC)是決定其導通性能和散熱能力的關鍵因素。低導通電阻可以減少導通損耗,提高效率,而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱,使器件不會過熱,從而延長其使用壽命。

 

CMD65R290 MOS管采用的TO-252封裝,通過優化半導體材料和制造工藝,CMOS成功地將這些優秀特性集成到CMD65R290中,使其在反激電源電路應用中表現出色。



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