CMF65R105:開關(guān)電源的優(yōu)選
CMF65R105:開關(guān)電源的優(yōu)選
CMF65R105使用Cmos先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)可以提供高的效率。非常適合于開關(guān)電源應(yīng)用,如PFC、適配器、服務(wù)器/電信電力、FPD電視電源、ATX電源和工業(yè)電源等應(yīng)用。
卓越的電氣特性
CMF65R105的主要電氣特性包括:
耐壓與電流能力:CMF65R105的耐壓(BVDSS)為650V,在25℃條件下,其最大連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)31A。
高EAS:CMF65R105采用Cmos先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù),EAS達(dá)到1353mJ,具有很強(qiáng)的抗沖擊能力。
低導(dǎo)通損耗:在柵極電壓(VGS)為10V時(shí),CMF65R105的導(dǎo)通電阻(RDS(on))最大為0.1Ω。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗,提高了電路的能效,使得在各種開關(guān)電源電路使用中效率更高。
低開關(guān)損耗:較小的QG、CISS,使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能,較小的開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMF65R105 MOS管由于其優(yōu)異的特性,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,在各種開關(guān)電源電路中,MOS管的低導(dǎo)通電阻、低QG、低結(jié)電容,使其有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗,并直接影響工作時(shí)的溫升、可靠性、能效,CMF65R105表現(xiàn)出色,能夠很好地滿足電路需求。
