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高性價比逆變器MOS:CMH20N50

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高性價比逆變器MOS:CMH20N50

>>CMH20N50詳情頁面

CMH20N50采用Cmos先進的平面條紋DMOS技術和設計,提供優秀的RDS(ON)。非常適合于高效的切換模式電源和主動功率因數校正。可用于開關電源、UPS電源、DC-DC轉化電源,特別適用于逆變器電源,有優秀的散熱能力,很好的性價比。



卓越的電氣特性

CMH20N50的主要電氣特性包括: 

耐壓與電流能力:CMH20N50的耐壓(BVDSS)為500V,在25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)可達20A。



抗沖擊能力強:CMH20N50采用Cmos先進的平面條紋DMOS技術和設計,單次雪崩能量為860mJ,使其有很強的抗沖擊能力,能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。

散熱好:CMH20N50采用TO-247封裝,具有良好的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)為0.44℃/W,有很好的散熱能力,能有效地將熱量散發出去。 



導通損耗小:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMH20N50的導通電阻(RDS(on))最大為0.26Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗,提高了電路的能效,使得在逆變器等電路使用中效率更高。



開關損耗小:較小的QG、結電容,使其具有優越的開關性能,較小的開關損耗。



適用范圍廣泛

CMH20N50 MOS管由于其優異的特性,適用于多種應用場景,特別是在逆變器電路中。

在逆變器應用中,MOS管的高EAS、低熱阻、低導通電阻直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效,低QG、低結電容,有較好的開關特性及低開關損耗。CMH20N50 表現出色,能夠很好地滿足電路需求。



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