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高耐壓MOS:CMF90R450Q

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高耐壓MOS:CMF90R450Q

>>CMF90R450Q詳情頁

CMF90R450Q功率MOSFET,是采用廣東場效應半導體有限公司(CMOS)先進的超級結技術,實現非常低的電阻和柵極電荷。采用優化的電荷耦合技術來提供高的效率。應用范圍廣泛,可用于Charger電源、Adaptor電源、Power supply、Electrodeless lamp等,有900V高耐壓能力,很好的性價比。



卓越的電氣特性

CMF90R450Q的主要電氣特性包括: 

高耐壓能力:CMF90R450Q的耐壓(BVDSS)為900V。

電流能力:在25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)可達11A。



ESD保護能力:在柵源極集成ESD保護二極管,有優秀的ESD能力。

低開啟能力:開啟電壓VGS(th)是2.5~4.5V,使得在較低的驅動電壓下也能開啟。

低導通損耗能力:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMF90R450Q的導通電阻(RDS(on))最大為0.45Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗,提高了電路的能效,使得在電路應用中效率更高。



低開關損耗能力:非常低的QG、結電容,使其具有優越的開關性能,非常低的開關損耗。



適用范圍廣泛

CMF90R450Q MOS管由于其優異的特性,適用于多種應用場景,適合于多種電源電路。MOS管的高耐壓、低導通電阻、ESD保護、低QG、低結電容,具有很好的開關特性及低開關損耗、低導通損耗,使得有很好的效率,能夠很好地滿足電路需求。


CMF90R450Q MOS管采用的TO-220F封裝,其耐壓和電流能力使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝,Cmos成功地將這些特性集成到CMF90R450Q中,使其在各種電源電路應用中表現出色。


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