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優(yōu)秀超結MOS:CMH65R115P

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優(yōu)秀超結MOS:CMH65R115P

>>CMH65R115P詳情頁

超結MOS以高耐壓、低內阻、低CISS、低QG,具有開關速度快、工作頻率高、開關損耗小、導通損耗小、轉化效率高、熱穩(wěn)定性好、易驅動等特性,廣泛用于電源等電路中。


CMH65R115P功率MOSFET,使用Cmos先進的超結技術,實現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術,可以提供高效率。具有超結MOS的各種優(yōu)點,可以很容易快速地應用到新的和現(xiàn)有的電源設計中。



卓越的電氣特性                                    

CMH65R115P的主要電氣特性包括: 

耐壓與電流能力:CMH65R115P的耐壓(BVDSS)為650V,在25℃條件下,其最大連續(xù)漏極電流(ID)可達33A。



低EMI:CMH65R115P采用Cmos先進的超結技術,應用時具有低EMI、易通過EMC測試的特點。

溫升低:CMH65R115P采用TO-247封裝,具有良好的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)為0.49℃/W,有很好的散熱能力。



導通損耗小:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMH65R115P的導通電阻(RDS(on))為0.115Ω。低導通電阻降低了導通狀態(tài)下的損耗,提高了電路的能效,使得在電源等電路使用中效率更高。



開關損耗小:較小的QG、CISS,使其具有優(yōu)越的開關性能,較小的開關損耗。



適用范圍廣泛                                     

CMH65R115P MOS管由于其優(yōu)異的特性,適用于多種應用場景,在各種電源電路中表現(xiàn)優(yōu)秀。MOS管的低熱阻、低導通電阻直接影響工作時的溫升、可靠性、能效,低QG、低結電容,有較好的開關特性及低開關損耗。CMH65R115P表現(xiàn)出色,能夠很好地滿足電路需求。

 

MOS管在電力電子中起到重要作用,其性能直接影響整個電路的效率和穩(wěn)定性。MOS管的導通電阻(RDS(on))和熱阻(RθJC)是決定其導通性能和散熱能力的關鍵因素。低導通電阻可以減少導通損耗,提高效率,而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱,使器件不會過熱,從而延長其使用壽命。

 

CMH65R115P MOS管采用的TO-247封裝,通過優(yōu)化半導體材料和制造工藝,CMOS成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMH65R115P中,使其在電源電路應用中表現(xiàn)出色。

 


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