Cmos優(yōu)勢物料推選六：CMD840
Cmos優(yōu)勢物料推選六：CMD840
CMD840 MOS是一款采用平面工藝設(shè)計的高壓小電流FET，作為電子工程師我們都知道，平面工藝FET很多電性特征參數(shù)都與內(nèi)部晶片大小息息相關(guān)。在產(chǎn)品制造過程中，F(xiàn)ET大多表現(xiàn)出特征參數(shù)相悖的特點，比如，在實際物料生產(chǎn)中，為降低導(dǎo)通內(nèi)阻，就需要相應(yīng)增大實際的晶片面積，為降低Ron須增大硅片面積使成本增加, 工藝寄生電容隨之也會增大，結(jié)合實際應(yīng)用環(huán)境，如果對寄生電容不進(jìn)行優(yōu)化和控制，那么這種參數(shù)MOS管其應(yīng)用環(huán)境將會受限制。在這一點上，Cmos經(jīng)過在工藝上不斷創(chuàng)新，打破了理論限制，創(chuàng)造性的推出CMD840 FET，有效的拓寬了平面工藝物料的應(yīng)用環(huán)境。
封裝形式
CMD840 MOSFET提供TO-252貼片和TO-251插件兩種封裝新式，其外觀和內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示：
電性參數(shù)
耐壓和耐流能力
CMD840是一款高壓小電流的場效應(yīng)管，其擊穿電壓BVDSS可達(dá)500V，漏源持續(xù)電流ID為8A。從伏安特征值、導(dǎo)通內(nèi)阻及結(jié)合實際電路的特性來看，該物料不具備過大電流的能力。
優(yōu)秀的開關(guān)速度
CMD840 MOSFET CISS為1400PF，COSS為210PF，得益于對更低的寄生電容的控制，使得CMD840成為電源應(yīng)用，無刷電機(jī)組合應(yīng)用方案的理想之選。
CMD840是一款平面工藝場效應(yīng)管，具有更高的抗沖擊性能和更好的電參數(shù)一致性。參數(shù)的一致性尤其在半橋，全橋，推挽等MOSFET組合結(jié)構(gòu)中尤為重要。通過對以往電路故障分析發(fā)現(xiàn)，在半橋應(yīng)用中，上管和下管的死區(qū)控制時間是重要的參數(shù)之一，所以調(diào)整死區(qū)時間時盡量減少外部其他非必要因素的影響，否則參與的變量越多對死區(qū)時間的影響就越廣，結(jié)果就是合理的死區(qū)時間調(diào)整就越困難。所以，為了減小非必要因素引起的關(guān)鍵性參數(shù)退變，不能僅停留在具體參數(shù)的匹配性上，還要對物料工藝有所考慮，唯有如此，方能節(jié)約元器件上電測試時間，使新品盡快得到試產(chǎn)。
以下是小編整理的MOSFET不同工藝的結(jié)構(gòu)分析：
Cmos半導(dǎo)體產(chǎn)品
歷經(jīng)二十四年發(fā)展，Cmos半導(dǎo)體已經(jīng)成長為技術(shù)先進(jìn)，品質(zhì)卓越，物品豐富，高性價比的綜合性半導(dǎo)體企業(yè)。Cmos產(chǎn)品有：MOS場效應(yīng)管，晶閘管，IGBT，三端穩(wěn)壓芯片，三極管，二極管等，應(yīng)用鄰域廣泛，性能可靠穩(wěn)定。
Cmos產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域
消費電子類：家電，電動車，無人機(jī)，戶外顯示，開關(guān)電源，筆記本電腦，電動工具；
工業(yè)電子類：智能儀表，無線通訊，光伏，5G通訊，服務(wù)器，物聯(lián)網(wǎng)；
汽車電子類：新能源汽車，充電樁，軌道交通。
Cmos半導(dǎo)體是優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)半導(dǎo)體廠家，擁有豐富的MOSFET和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品，具備出色性能以及價格優(yōu)勢。產(chǎn)品生產(chǎn)工藝齊全先進(jìn)，產(chǎn)品系列應(yīng)用廣泛，產(chǎn)品分布低功率至高功率應(yīng)用。下面是Cmos的部分主推型號參數(shù)，更多型號資料請聯(lián)系在線客服或登錄Cmos官網(wǎng)，可索取免費樣品以及報價、技術(shù)支持服務(wù)。
