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寬應用優秀MOS:CMD060N10

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寬應用優秀MOS:CMD060N10

>>CMD060N10詳情頁

CMD060N10是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的SGT工藝技術和設計,提供優秀的RDS(ON)、Qg、CISS,非常適合用于DC-DC電源、電源切換應用,開關控制,電機控制、LED控制等多種應用。



卓越的電氣特性

CMD060N10的主要電氣特性包括: 

耐壓:CMD060N10的耐壓(BVDSS)為100V。

電流:在Tc=25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)是80A。



雪崩能量:CMD060N10采用先進的SGT技術,單次雪崩能量EAS為612mJ。

低熱阻:CMD060N10采用TO-252封裝,具有優秀的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)為1.5℃/W。



低導通電阻:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMD060N10的導通電阻(RDS(on))最大只有7mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗,能提高整體電路的能效。



低開關損耗:低QG、結電容,使其具有優越的開關性能,和低開關損耗。



適用范圍廣泛

CMD060N10優秀的性能,使其可以非常好的應用于多種電路,包括不限于DC-DC電源、電源切換應用,開關控制,電機控制、LED控制等多種應用。


通過優化半導體材料和制造工藝,Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMD060N10中,使其在電路應用中表現出色。



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